02、HVDC高压直流:架构优化降本

传统低压母线供电线路损耗偏高,电能转换层级繁琐,设备柜体占用大量机房空间,场地与电力成本高。SiC功率器件助力800V HVDC高压直流架构落地,能精简电能变换,显著降低机房整体能耗。本次展示的系列产品:

功率模组: EASY2B 1200V 5mΩ

SiC MOSFET: 1500V 13mΩ/20mΩ/

35mΩ, 1200V 11mΩ/13mΩ/16mΩ/

20mΩ/30mΩ, 750V 11mΩ/18mΩ/

25mΩ/40mΩ

SiC SBD: 1200V 20A/30A/40A

均可充分适配HVDC系统前级PFC与DC-DC变换单元。

03、UPS不间断电源:可靠持续供电

AI业务负载波动幅度大,常规UPS设备转换效率不足,长期运维检修成本偏高,无法满足高可靠性的算力保障需求。方正微电子的SiC产品历经3000小时加严可靠性测试,工况适配性与运行稳定性表现优异。展台展示的核心产品:

功率模组: EASY2B 1200V 5mΩ

SiC MOSFET: 1200V 11mΩ/13mΩ/

20mΩ/30mΩ/35mΩ, 750V 11mΩ/

18mΩ/25mΩ/40mΩ, 650V 18mΩ/30mΩ/40mΩ/60mΩ

SiC SBD: 1200V 10A/15A/20A/30A/40A

以上产品专为中高压UPS双向变换场景打造,可实现毫秒级切换响应,为算力运转筑牢可靠供电屏障。

04、SST固态变压器:打造新型供电系统

传统变压器体型笨重、空间利用率低,工作效率存在固有局限,且无法实现灵活动态的电压调节,适配新型算力架构的能力不足。

作为SST固态变压器核心元器件,方正微电子的1200V/1500V/1700V/2300V级SiC芯片,可实现高压直降800V,省去多级降压流程,设备占地面积大幅缩减,运行效率大幅提高,契合下一代数据中心轻量化、智能化供电的发展趋势。现场陈列的:

功率模组: EASY2B 1200V 5mΩ, EASY3B 1400V 6.5mΩ

SiC MOSFET: 2300V系列, 1700V 900mΩ, 1500V 13mΩ/20mΩ/35mΩ, 1200V 9mΩ/11mΩ/13mΩ/16mΩ

深度匹配SST高频高压工况。

本次展会是方正微电子展示SiC技术实力、对接行业伙伴的良好契机。方正微电子将持续发力数据中心赛道,期待与更多合作伙伴携手同行,以硬核SiC技术赋能AI智算,共建绿色高效的新一代数据中心生态。